반도체에서 유전체란 전자의 이동 통로를 확보하거나 전자의 이동을 막아내는 산화막을 말합니다.
실리콘은 높은 온도에서 산소를 만나면 이산화규소, 물을 만나면 이산화규소과 수소 분자가 나옵니다.
비즈컨의 솔루션은 반도체의 산화막의 두께를 정밀하게 측정할 수 있는 솔루션을 제공합니다.
산화막의 두께를 측정하여 반도체의 품질을 관리할 수 있습니다.
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WMS3000
[사용 용도]
전자동 웨이퍼 실시간 두께 측정 장비
[응용 분야]
- 반도체 웨이퍼 두께 측정
- 반도체 공정 실시간 두께 측정
[특징]
- 2개의 로봇 암 이용, 측정 소요 시간 단축 및 자동화 공정
- 고정밀 두께 측정시스템과의 연동을 통한 정밀한 측정
- OCR을 이용한 측정대상과 결과 통합 관리
- 측정 후 다양한 형태의 결과 확인
- MES 연동을 위한 기능 탑재
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UTG2000
[사용 용도]
비접촉 비파괴 실시간 두께 측정 장비
[응용 분야]
- 초박막 글라스 UTG(Ultra Thin Glass) 두께 측정
- Thin Flim 두께 측정
- 반도체 웨이퍼 두께 측정
- 폴리싱 패드 두께 측정
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Zflat3000
[사용 용도]
블랭크 마스크 평탄도 검사 장비
반도체 웨이퍼 평탄도 검사 장비
[응용 분야]
- 스마트 폰 커버 글라스 전면 두께 분포 측정 ( 파손 위혐 영역 검출)
- 글라스 표면 및 내부 결함 검사
(Cutting Edge 결함, 크랙, 표면 스크래치, 내부 버블 결함 등)
- 복합 구조층의 개별 두께 변화 검사
. 액정 조립 후 OCR, OCA 두계 이상 검사
. 점착층 경화 전 후 두께 변화 검사
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Zflat2000
[특장점]
√ 비접촉, 비파괴 광 간삽 단층촬영 검사
√ 동시 두께 측정, 결함 검사(Glass 전면 두께 분포, 표면 결함 검사)
√ 2차원, 3차원 이미지 제공
[적용]
√ 반도체 웨이퍼용 블랭크마스크 전면 두께 분포 측정(파손 위험 영역 검출)
√ 글라스 표면 결함 검사
√ 복합 구조층의 개별 두께 변화 검사
[ 장비 사양]
측정 방법 낮은 일관성 간섭 광원 S-LED 1310 nm 파큘라 45 um 효과적인 작동 거리 65 mm 측정 범위 12 um ~ 8mm 측정 오류 ± 0.1 um 측정 정확도 0.1 um 측정 주파수 100 Hz 측정 레이어 수 ≤ 20 레이어